致力于研發(fā)存儲器替代品的Nantero公司6月2日宣布已在第五輪融資中籌得3150萬(wàn)美元，以發(fā)展碳納米技術(shù)。在這個(gè)由巨頭企業(yè)統治的行業(yè)中，一家半導體公司能獲得如此大額的投資實(shí)屬罕見(jiàn)。

這種基于超高速和高密集科技的存儲器，應用范圍十分廣泛，例如移動(dòng)計算、可穿戴設備、電子消費品、航天航空、軍事應用、企業(yè)系統、汽車(chē)行業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及工業(yè)市場(chǎng)等等，它們可以用來(lái)替代閃存或動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器。Nantero希望在未來(lái)可以研制出能夠存儲T級數據的存儲器，如果成功的話(huà)，那么使用該存儲器的移動(dòng)設備就能容納數百部電影或數百萬(wàn)首音樂(lè )了。

參與本輪融資的投資者有Charles River Ventures、Stata Ventures、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Group以及Draper Fisher Jurvetson。 Nantero將這種新一代碳納米管存儲器命名為非易失性隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器（NRAM）。人們只有在顯微鏡下才能看清這些微小存儲器的人造結構，盡管其管徑只有人類(lèi)頭發(fā)的五萬(wàn)分之一，但其強度卻是鋼的50倍，而密度又只有鋁的一半。

Nantero表示，這種存儲器的導熱性和導電性也要優(yōu)于其它材質(zhì)。NRAM存儲器具有低成本、組件可堆砌的特性。在接通電源的情況下，其讀寫(xiě)速度比NAND閃存快了近100倍，與動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的速度近似。它們的生產(chǎn)可以在傳統的芯片工廠(chǎng)完成，電路之間的距離可縮小至5納米以下。該公司還表示，NRAM存儲器具有低能耗、高穩定性以及經(jīng)久耐用的特點(diǎn)。

新型存儲器的制造往往在批量生產(chǎn)環(huán)節面臨著(zhù)挑戰。Nantero表示，在過(guò)去的兩年中，對于每個(gè)存儲器上的碳納米管，公司已經(jīng)降低了十次成本。到目前為止，公司已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬(wàn)個(gè)存儲器。

Nantero設在美國馬薩諸塞州沃本的總部共擁有50多名雇員，公司還在硅谷和日本設立了分部。Nantero成立于2001年，2008年從國防承包商Lockheed Martin那里脫離出來(lái)另立門(mén)戶(hù)，共擁有超過(guò)175項的美國專(zhuān)利，另外還有200項專(zhuān)利正在申請中。

Nantero目前的總裁兼首席執行官由創(chuàng )始人之一的Greg Schmergel擔任，而另一位共同創(chuàng )始人Tom Rueckes則擔任首席技術(shù)官一職。前半導體行業(yè)協(xié)會(huì )主席George Scalise是公司顧問(wèn)委員會(huì )的成員之一。

Nantero表示，多年來(lái)，NRAM存儲器的大規模生產(chǎn)一直在金屬氧化物半導體的工廠(chǎng)中進(jìn)行著(zhù)，共有7家類(lèi)似的工廠(chǎng)布設了NRAM生產(chǎn)線(xiàn)。目前，公司已經(jīng)研發(fā)出了客戶(hù)所期待的4M存儲器樣品。Nantero還與前三甲的半導體公司達成了協(xié)議。

Nantero的聯(lián)合創(chuàng )始人Schmergel在一份聲明中表示，該項技術(shù)的研發(fā)正在多個(gè)世界級的工廠(chǎng)中進(jìn)行著(zhù)，十多位主要贊助商也在為NRAM而積極工作著(zhù)，Nantero芯片很快就將進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。

WebFeet Research的創(chuàng )始人兼芯片分析師Alan Niebel認為，這項技術(shù)“能夠改變電子產(chǎn)品的未來(lái)。” Nantero顧問(wèn)委員會(huì )的新成員包括前英特爾高級行政官Stefan Lai，他與他人共同研發(fā)了一種被稱(chēng)之為電可編程只讀存儲器隧道氧化物（ETOX）快閃存儲器的關(guān)鍵存儲類(lèi)型，以及前Inotera Memories執行總裁（現董事會(huì )成員）的Yaw Wen Hu。

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