2月10日，蘇州東微半導體股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱(chēng)：東微半導；股票代碼：688261）將正式登陸上交所科創(chuàng )板。公開(kāi)資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷(xiāo)售為主的技術(shù)驅動(dòng)型半導體企業(yè)，其產(chǎn)品專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng )新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開(kāi)發(fā)，是國內少數具備從專(zhuān)利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域實(shí)現了國產(chǎn)化替代。東微半導依托對器件結構和工藝的創(chuàng )新凸顯產(chǎn)品的領(lǐng)先性，在國內眾多功率半導體廠(chǎng)商中獨樹(shù)一幟。

專(zhuān)注工業(yè)及汽車(chē)市場(chǎng)，人均產(chǎn)值超千萬(wàn)元

近年來(lái)，碳中和、碳達峰、新能源汽車(chē)、5G和云計算等新技術(shù)應用需求迎來(lái)了爆發(fā)性增長(cháng)，而功率半導體是在上述應用中實(shí)現電能轉換的核心基礎元器件。公開(kāi)信息顯示，東微半導的業(yè)務(wù)大多來(lái)自于工業(yè)級和汽車(chē)相關(guān)應用。業(yè)內周知，相對于消費電子市場(chǎng)，工業(yè)及汽車(chē)市場(chǎng)對芯片的性能和品質(zhì)要求更高，存在著(zhù)較高的技術(shù)壁壘。在功率器件領(lǐng)域，應用于新能源汽車(chē)的芯片基本被進(jìn)口芯片品牌壟斷，僅極少數國內芯片供應商能夠進(jìn)入上述領(lǐng)域，而東微半導便是其中的佼佼者。經(jīng)過(guò)多年驗證，2021年公司產(chǎn)品開(kāi)始批量進(jìn)入比亞迪新能源車(chē)，成功進(jìn)軍車(chē)載芯片市場(chǎng)。

招股書(shū)披露，東微半導預計2021年度營(yíng)業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長(cháng)150%至160%；預計2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元，同比增長(cháng)377%至453%；預計2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元，同比增長(cháng)522%至620%。2021年公司業(yè)績(jì)暴增的主要原因是受益新能源汽車(chē)充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。

招股書(shū)顯示，截至2021年6月30日東微半導的研發(fā)人員占比46%，按其員工數推算，預計人均產(chǎn)值超過(guò)1000萬(wàn)元，約是國內芯片設計行業(yè)人均產(chǎn)值的5倍，屬于典型的技術(shù)密集型芯片設計高科技公司。

打造技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢  產(chǎn)品獲得高度認可

作為國內領(lǐng)先的高性能功率器件廠(chǎng)商，東微半導自成立以來(lái)，就對半導體功率器件核心技術(shù)的發(fā)展持續跟蹤并深入調研，進(jìn)行持續的研發(fā)創(chuàng )新，確保公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，亦滿(mǎn)足客戶(hù)終端產(chǎn)品的創(chuàng )新需求。這為公司業(yè)務(wù)開(kāi)展及未來(lái)新業(yè)務(wù)的拓展打下了堅實(shí)的基礎。

高壓超級結MOSFET是東微半導的王牌產(chǎn)品，也是其功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品，高壓超級結MOSFET器件具有高頻、易驅動(dòng)、功率密度高等特點(diǎn)，應用領(lǐng)域非常廣泛，涵蓋通信、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、光伏、儲能、智能電網(wǎng)、消費電子等領(lǐng)域。東微半導自成立以來(lái)積極投入對高壓超級結MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽(yáng)、雷能、美的、創(chuàng )維、康佳等全球知名客戶(hù)的認可，取得良好的市場(chǎng)口碑。

2016年4月14日，人民日報刊登了東微半導的高壓超級結MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導體器件領(lǐng)域首次實(shí)現國產(chǎn)化的報道，確定了東微半導在充電樁功率器件領(lǐng)域“國產(chǎn)第一芯”的地位。

招股書(shū)顯示，東微半導最先進(jìn)的高壓超級結產(chǎn)品OSG65R017HT3F的導通電阻為14mohm，與國際領(lǐng)先品牌英飛凌最小的導通電阻15mohm處于相似水平，而公司產(chǎn)品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓，綜合性能優(yōu)勢明顯。對于MOSFET而言，導通電阻是一個(gè)重要的性能參數，該數值越小，MOSFET工作時(shí)的功率損耗越小，也越能體現公司的技術(shù)創(chuàng )新能力。

值得一提的是，東微半導于2016年提出的超級硅系列產(chǎn)品性能更為突出，OSS60R190FF型號的優(yōu)值（FOM）為2.53Ω·nC，優(yōu)于全部國際品牌在相同平臺下臨近規格的優(yōu)值，包括英飛凌最新一代產(chǎn)品IPDD60R190G7。

此外，東微半導還開(kāi)發(fā)出原創(chuàng )Tri-gate IGBT，實(shí)現批量出貨。招股書(shū)指出，東微半導的IGBT產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化器件內部的載流子分布，提高了電流密度，在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實(shí)現了較低的關(guān)閉損耗Eoff。比如，公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相對于OST75N65HZF基本不變的情況下（0.9mJ），將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能處于國際領(lǐng)先水平。由于采用創(chuàng )新器件結構，東微半導的IGBT的電流密度大幅提高，其芯片面積進(jìn)一步縮小，突破了傳統IGBT的電流密度水平，直接消除了多年以來(lái)國產(chǎn)IGBT與進(jìn)口IGBT芯片之間的技術(shù)代差。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）產(chǎn)品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機驅動(dòng)等領(lǐng)域批量出貨。

招股書(shū)顯示，此次東微半導登陸科創(chuàng )板募集資金主要是投向超級結與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目、新結構功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)工程中心建設項目、科技與發(fā)展儲備資金等。隨著(zhù)募投項目的實(shí)施，公司將進(jìn)一步提升超級結、IGBT芯片等功率芯片的性能，并且開(kāi)拓第三代半導體功率器件市場(chǎng)。