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三安出席EDICON 新一代高可靠工藝加速5G高頻應用落地

2025/4/25 9:15:41     

作為射頻和無(wú)線(xiàn)通信設計領(lǐng)域的盛會(huì )，EDICON 2025于4月23-24日在北京召開(kāi)，吸引了國內外領(lǐng)先的射頻和設計公司出席。三安作為射頻前端芯片制造平臺的代表企業(yè)，受邀出席并做技術(shù)報告，與到場(chǎng)的設計工程師和系統集成商分享當下無(wú)線(xiàn)通信市場(chǎng)的應用趨勢思考，以及新的射頻工藝進(jìn)展。

　　在全球智能手機市場(chǎng)出貨增長(cháng)趨緩的大背景下，消費者對終端的性能需求持續高漲，催生出大約1200億人民幣的射頻前端市場(chǎng)，其中本地化AI、5G新應用和模組化趨勢都在需求更多更好的射頻前端器件。三安憑借在砷化鎵材料多年的外延研發(fā)經(jīng)驗，持續迭代砷化鎵射頻工藝能力，支持設計客戶(hù)在新技術(shù)時(shí)代的產(chǎn)品升級；以平臺化的制造服務(wù)能力，從系統層面提升客戶(hù)設計效率和產(chǎn)品競爭力。

　　新應用要求智能手機在更高頻段中承載更多的數據流量，因此射頻前端器件必須具備更高的功放效率和更好的線(xiàn)性度，復雜工況下進(jìn)一步要求器件具備足夠好的頑健性。三安第三代砷化鎵HBT工藝HP36/56采用三安自主開(kāi)發(fā)外延，改善電容結構，以提升器件可靠性；在測試條件下，相比前代工藝的功放效率提升約3%，其中HP36為高階5G應用定向開(kāi)發(fā)了高線(xiàn)性度能力，HP56則是為復雜應用增強了器件的頑健性。

　　為適應射頻前端設計的模組化趨勢，三安砷化鎵工藝平臺提供銅柱工藝以支持器件進(jìn)行倒裝封裝，優(yōu)化射頻器件尺寸，提升系統效率；銅柱工藝全面采用激光切割工藝，可以進(jìn)一步縮小銅柱間隙，為客戶(hù)未來(lái)設計需求儲備技術(shù)能力。同時(shí)，三安提供的濾波器也為客戶(hù)的高階模組設計提供支持，采用鍵合TC-SAW技術(shù)路線(xiàn)，具備向1612以下尺寸快速迭代的能力；在封裝端采用WLP封裝形式，進(jìn)一步滿(mǎn)足模組設計的集成化需求。

　　三安將持續投入砷化鎵材料和射頻器件工藝研發(fā)，持續關(guān)注市場(chǎng)趨勢和客戶(hù)需求，以穩定的供應和質(zhì)量管理支持客戶(hù)產(chǎn)品迭代，與行業(yè)客戶(hù)共同推進(jìn)無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)變革，加速高能效通信網(wǎng)絡(luò )時(shí)代的到來(lái)。